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제목[81-2012] A new method for the extraction of flat-band voltage and doping concentration in Tri-gate Junctionless transistors2012-11-23 12:52
작성자 Level 10


Title: A new method for the extraction of flat-band voltage and doping concentration in Tri-gate Junctionless transistors
Dae-Young Jeon*; So Jeong Park; Mireille Mouis; Sylvain Barraud; Gyu-Tae Kim; Gérard Ghibaudo
*D.-Y. Jeon: jeond@minatec.inpg.fr, 11/17/2012 accepted for Solid State Electronics

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110112003632 (논문저널페이지)


프랑스 IMEP-LAHC 연구소에서 진행했던 연구 결과가 Solid State Electronics에 accept 되었습니다.
Tri-gate 구조를 가지는 Junctionless transistor 소자에서 Vfb와 doping level을 추출 할 수 있는 새로운 방법에 대한 내용입니다.
제가 제안한 아이디어에 흥미롭게 discussion해 주셨던 Ghibaudo 박사님과 측정/실험 할 수 있게 도와주신 Mireille 교수님 
그리고 공동학위 기회를 갖게 해주신 교수님께 진심으로 감사드립니다.

- 전대영 올림.
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