Minju Shin, Ming Shi*, Mireille Mouis, Antoine Cros, Emmanuel Josse, Sutirha Mukhopadhyay, Benjamin Piot, Gyu-Tae Kim and Gérard Ghibaudo, "Magnetoresistance mobility characterization in advanced FD-SOI n-MOSFETs", Solid state electronics 2015, 103, 229-235 >> published online 15 August 2014
화연 사사
URL : http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110114001920
DOI : http://10.1016/j.sse.2014.07.007
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프랑스 Grenoble 에서 Magneto resistance 실험을 통한 mobility 분석을 시행한 연구 결과를 바탕으로 작성한 논문입니다. 이 실험은 high magnetic field에서 시행되어야 하기 때문에 실험에 많은 제약이 따르지만, 기존의 mobility 분석 보다는 좀 더 소자의 근본적인 전기적 성질에 접근할 수 있다는 장정이 있습니다. 실험은 저온(100K)과 상온에서 진행하였고, coupling 측정도 진행하여 보았습니다.
개인적으로는 연구실 최초의 magnetoresistance 실험이란 것에 대해 의의를 두고 싶습니다. 좋은 실험 기회를 제공해 주신 Gerard 교수님과 Mireille 교수님, 항상 옆에서 함께 해준 Ming 그리고 공동 학위를 가능케 하신 교수님과 많은 선배님들에게 감사드립니다. |
