Gate-Modulated Temperature-Dependent NO2 Gas Responsivity of h-BN Bottom-Gated MoS2 Field-Effect Transistor
Doyoon Kim, Dong Hyeon Kim, Hyeran Cho, Yeonsu Kim, Chan Sol Mun,Gyu-Tae Kim
ACS Appl. Electron. Mater. 2025, 7, 442−449
https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01901
Back-gated 2D FET에서 게이트 전압에 따른 소자의 전기적 특성 변화와 표면에서 주로 반응하는 표면 가스 반응의 연관성을 연구하여 정량적, 정성적 분석과 함께 메커니즘을 제시한 논문입니다.
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