Understanding the electric field dependent channel migration for shorter channel length of multilayer rhenium disulfide (ReS2) FETs

Hyeong Jin Choi, Yun Jae Choi, Gyu-Tae Kim

Nanothechnology (IF 2.9) Volume 36, Number 8 085702

https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad992f

23년 3월에 연구실에 와서 5월 경에 처음으로 생각해 봤던 내용입니다. 실험은 측정장비 수리 때문에 8월에 수행했고 23년 10월에 초안을 작성해 봤던 내용입니다.

accept를 받는 과정까지 시간이 많이 걸렸네요.

논문을 읽으면서 공부하는 중 drain에 대한 특성 변화의 실험 결과가 다른데, 기존 논문들이 해당 부분이 다 같은 원인으로 설명 되어 있고,
back gate 구조에서 drain 전압이 증가하면 RInt가 감소해서 top side로 conduction 채널이 이동한다는 부분이 합리적이지 않아서 원인을 생각해 본 내용입니다.

해당 부분들의 원인이 channel length scaling에 의한 부분으로 판단하였습니다.
channel length에 따라서 Rch 값은 변하지만, 결합력에 의해 결정되는 RInt는 영향을 거의 받지 않기 때문으로 판단했습니다. (scaling에 따라서 migration이 발생)
migration 발생 시 drain 전압에 대한 반응성도 RInt와 Rch 값에 따라서 전압 인가시 layer에 인가되는 전압 dividing 값이 변하고, field의 값의 차이가 발생하여, lateral field에 대한 부분으로 scaling에 따른 영향성이 설명이 되어서 실험을 해 보았고, 예상대로 결과가 나와주었습니다.  

논문을 읽으면서 스터디 할 때는 인더스티리 영역과 리서치 영역에 차이에 대해서 생각해 보게 되었고, 제 성향 자체는 인더스티리 영역에 더 치우쳐 있다는 것을 깨닫게 되었습니다. 논문 제출 과정에서는 저널지에 대한 이해도가 조금은 높아 진거 같습니다.

해당 주제를 이야기 할 때 이전 연구 내용들의 내용에 대해서 부정적인 이야기를 해야 해서 교수님께 어떻게 말씀드려야 할 지 걱정을 하였는데, 긍정적으로 받아주시고 논문 지도를 해주신 김규태 교수님께 감사드립니다. 해당 논문은 rewrite resubmit을 한번 하고 그 이 후에 revision도 한번 더 진행했던 논문입니다. rewrite resubmit 상황에서 제가 판단이 잘 되지 않았는데, 교수님께서 명확히 판단을 해주셔서 믿고 진행했던거 같습니다. 논문 초안을 봐주시고, rewrtie resubmit mail에 대해서 comment 남겨주신 김도현 박사님께도 감사드립니다.

리비젼 시에 영어를 봐준 동현이, 마지막 논문 영어 오타를 확인해준 찬솔씨한데도 감사드립니다.

중견 과제 (No. NRF-2021R1A2C2013002)가 100% 사사표기되었습니다.