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제목[60-2011] Effect of humidity and thermal curing of polymer gate dielectrics on the electrical hysteresis of SnO2 nanowire field effect transistors2011-03-06 00:00
작성자 Level 10

Sahngki Hong, Daeil Kim, Gyu-Tae Kim, Jeong Sook Ha, "Effect of humidity and thermal curing of polymer gate dielectrics on the electrical hysteresis of SnO2 nanowire field effect transistors". Applied Physics Letters 2011, 98 (10), 102906. >> Published 2011-03-10

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Sahngki Hong, Daeil Kim, Gyu-Tae Kim, and Jeong Sook Ha, Appl. Phys. Lett. 98, 102906 (2011), "Effect of humidity and thermal curing of polymer gate dielectrics on the electrical hysteresis of SnO2 nanowire field effect transistors"

http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i10/p102906_s1?isAuthorized=no

     하정숙 교수님 연구실에서 SnO2 나노선 FET의 히스레리시스가 습도와 열처리에 의해 조절가능하다는
것을 보인 논문입니다.  Appl. Phys. Lett. 3월 14일자로 출간 예정입니다.  출간 되는 대로 다시 올려두도록
하겠습니다.  Hysteresis의 원인에 대해 설명을 더한 것이 저의 역할입니다. 연구실에서도 앞으로 해야할 
것이 많이 있는 것으로 보입니다.

김규태 

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