Doyoung Jang, Jae Woo Lee, Chi-Woo Lee, Jean-Pierre Colinge, Laurent Montes, Jung Il Lee, Gyu Tae Kim, Gerard Ghibaudo, Appl. Phys. Lett. 98, 133502 (2011). "Low-frequency noise in junctionless multigate transistors", 2011년 3월 28일 출간
Abstract: Low-frequency noise in n-type junctionless multi-gate transistors was investigated. It can be well understood with the carrier number fluctuations whereas the conduction is mainly limited by the bulk expecting Hooge mobility fluctuations. The trapping/release of charge carriers is related not only to the oxide-semiconductor interface but also to the depleted channel. The volume trap density is in the range of 6-30×1016 cm-3eV-1, which is similar to Si-SiO2 bulk transistors and remarkably lower than in high-k transistors. These results show that the noise in nanowire devices might be affected by additional trapping centers.
E-mail Address: montes@minatec.inpg.fr, gtkim@korea.ac.kr
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i13/p133502_s1 (논문저널 페이지)
http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000098000013133502000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3569724&prog=normal (논문pdf 링크)
작년에 교수님이 소개해주신 짧은 APL 논문으로부터 junctionless transistor라는 새로운 개념의 소자는 충격적이었고 이 소자에 대해서 잡음 측정을 하여 기존 소자와 비교할 수 있으면 좋겠다고 생각했었습니다. 마침 프랑스의 Ghibaudo 박사님의 도움으로 소자를 제작한 아일랜드의 Collinge 교수님으로부터 몇 개의 junctionless 소자를 얻게 된 것이 실험의 시작이 되었습니다. 논문 제출로부터 빠른 결과를 들을 수 있어 개인적으로 기쁘고 논문 준비 과정에서 '잡음'과 '측정분석'이 무엇인가에 대해 많은 고민을 하는 기회가 되었습니다. (여전히 고민 중이긴 합니다만...) 적극적인 조언을 주신 교수님과 박사님들에게 감사드립니다.
채널과 소스/드레인 사이에 도핑에 의한 junction이 없는 Si 나노선 소자의 저주파 잡음 특성에 대한 것으로 캐리어들의 움직임이 주로 bulk 영역에서 이루어짐에도 불구하고 잡음 특성은 bulk에서 주로 관찰되는 mobility fluctuation이 아닌 interface의 영향인 number fluctuation의 모델에 잘 들어 맞는 모순적인 현상에 대해서 분석했습니다. 이러한 모순에 대한 원인을 채널 내에서 발생하는 depletion layer의 경계면에서의 불순물들이 high current에서의 interface 영향과 더불어 새로운 트랩 요소로서 작용하는 것으로 설명을 하였습니다.
장도영 |
