Min-Kyu Joo*, Mireille Mouis, Dae-Young Jeon, Sylvain Barraud, So Jeong Park, Gyu-Tae Kim and Gérard Ghibaudo*
Semiconductor Science and Technology (2014),
"Flat-band voltage and low-field mobility analysis of junctionless transistors under low-temperature"
*Electron mail: joom@minatec.inpg.fr, ghibaudo@minatec.inpg.fr
2014.03.05 published online
http://stacks.iop.org/0268-1242/29/045024
doi:10.1088/0268-1242/29/4/045024
2014.01.14 accepted
화연, 글로벌프론티어 과제 사사
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프랑스 IMEP-Lahc에서 받은 Junctionless transistor의 CV, IV, 저온 특성을 분석한 논문입니다.
CV 측정으로 부터 Flat Band Voltage 및 도핑 레벨을 평가하였고, 이를 저온 더블게이트 특성으로부터 실험적으로 확인하였습니다.
Flat band voltage를 정의한 후 Junctionless의 Analytical model로 부터 bulk mobility 및 low-field mobility를 각각 구분하였고,
온도에 따른 전하이동도의 특성 분석으로 부터 전하 거동에 대한 연구를 진행하였습니다.
Silicon 소자를 공부 할 수 있도록 배려해 주신 프랑스의 Gerard, Mireille 교수님께 깊은 감사를 드립니다.
또한, 한국에서 깊은 토론을 진행해 주신 전대영, 박소정 박사님 그리고 김규태 교수님께 감사드립니다.
나노소자 연구실 화이팅!
-주민규 드림- | |
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