Title: Sidewall mobility and series resistance in multi-channel tri-gate MOSFET
So Jeong Park, Dae-Young Jeon, Laurent Montès, Sylvain Barraud, Gyu-Tae Kim, Gérard Ghibaudo
*S. J. Park: parkso@minatec.inpg.fr.
논문링크
http://stacks.iop.org/0268-1242/28/065009
프랑스 그레노블에서 Tri-gate Inversion-mode transistor로 실험하고 분석한 결과로 나온 논문입니다. 채널 폭이 다양한 Inversion-mode 소자의 sidewall conduction에서 mobility를 추출하고 분석한 부분과 같은 채널 폭과 길이를 가지는 planar 소자와 multi-channel 소자의 시리즈 저항을 비교 분석한 부분으로 이루어져 있습니다.
이 실험을 통해 잘 정의된 실리콘 소자 실험 결과를 반도체책들 내용과 비교하면서 공부하는 기회를 가졌고 논문으로 나올 때까지 논문 리비전 과정도 많이 배웠습니다.
이렇게 논문이 나올 수 있도록 그레노블에서 큰 어려움 없이 생활하고 실험할 수 있게 도와주신 로랑교수님과 지보도 박사님께 감사드립니다. 그레노블 생활에 많은 조언 해주신 도영오빠와 재우오빠께도 감사 인사 드립니다. 특히, 이번 논문에서 가장 많이 참고한 논문이 재우오빠 논문임을 밝혀 둡니다.^^ 마지막으로 항상 좋은 기회 만들어 주시고 용기 북돋워 주시는 저희 교수님께 진심으로 감사드립니다.
박소정 올림. |
