Title: Channel access resistance effects on charge carrier mobility and low-frequency noise in a polymethyl methacrylate passivated SnO2 nanowire field-effect transistors
저자: Min-Kyu Joo, Junghwan Huh, Mireille Mouis, So Jeong Park, Dae-Young Jeon, Doyoung Jang, Jong-Heun Lee, Gyu-Tae Kim2* and Gérard Ghibaudo1*
교신저자: G.Ghibaudo and Gyu-Tae Kim:ghibaudo@minatec.inpg.fr and gtkim@korea.ac.kr,
08/01/2013 accepted for Applied Physics Letters
Citation: Appl. Phys. Lett. 102, 053114 (2013); doi: 10.1063/1.4788708
View online: http://dx.doi.org/10.1063/1.4788708
View Table of Contents: http://apl.aip.org/resource/1/APPLAB/v102/i5
Published by the American Institute of Physics
안녕하세요~ 새해 복 많이 받으세요!
프랑스 그르노블로 공동학위를 위해 떠난지 벌써 1년이 3개월이 지나갔네요.
프랑스로 떠나기전 정환이형과 함께 측정을 하던것을 계기로, 연구실 세미나에서 접촉 저항에 대한 활발한 토론을 기반으로 논문까지 제출하게 되어 기쁩니다. PMMA passivated SnO2 나노선소자의 전자 이동도와 저주파 노이즈에 대한 접촉저항 영향을 시물레이션과 함께 분석 하였습니다.
정확한 소자 특성 분석을 위해서, PMMA Passivation에 의한 gate to channel capacitance coupling효과를 고려하였고, 컨택 저항을 고려한 여러 모빌리티값들을 비교/분석 하였습니다. 또한 저주파 노이즈 거동 분석을 위해, 접촉 저항을 고려한 Carrier Fluctuation Model이 사용되었습니다.
처음 실험과 분석 방향을 제시해 주신 교수님과 정환, 도영형께 감사를 드리고, 분석 모델과 시물레이션 방향을 지원해 주신 프랑스에 계신 Ghibaudo, Mireille 박사님에게 감사를 드립니다. 마지막으로 프랑스에서 다양한 주제의 실험 토론 및 연구실 생활에 대해 도움을 주신 대영이형 소정이 부부에게 고마움을 표하고 싶습니다. 한국에 돌아가서도 기존 및 신입 연구실원들과 활발한 토론 및 연구를 할 수 있기를 기대합니다.
2013년 나노소자 연구실원들 화이팅!
- 주민규 올림-
07/FEb/2013 Update information. |
