Doyoung Jang, Jae Woo Lee, Kiichi Tachi, Laurent Montes, Thomas Ernst, Gyu Tae Kim, Gerard Ghibaudo, Appl. Phys. Lett. 97, 073505 (2010). "Low-frequency noise in strained SiGe core-shell nanowire p-channel field effect transistors", 2010년 8월 19일 출간
Abstract: Low-frequency noise has been studied in compressively strained Si0.8Ge0.2 core-shell nanowire (NW) p-channel transistors compared with un-strained NWs. The noise has been well interpreted using the carrier number with correlated mobility fluctuation model. The volume trap density, Nt, lies in the range of 2.9×1018 ~ 4.3×1019 cm-3eV-1, which is similar to standard high-k planar devices. The impact of Coulomb and surface roughness scatterings is more significant in un-strained SiGe NWs. This result can be explained by the better carrier confinement at the central region of SiGe NWs due to the additional band offset in the compressively strained NWs.
E-mail Address: jangd@minatec.inpg.fr
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v97/i7/p073505_s1 (논문저널 페이지)
http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000097000007073505000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3480424&prog=normal (논문pdf 링크)
2010년 7월 28일, 프랑스에서의 1년 반의 생활을 마치고 돌아가기 하루 전 날에 그동안 진행한 SiGe top-down 나노선에 대한 노이즈 실험 논문에 대해 APL로부터 accept 되었다는 연락을 받았습니다. 처음 작성한 논문이기에 애착이 많이 가고 한편으론 많이 부족하다고 생각됩니다. 레프리로부터 Major revision을 두 번 요청을 받아 조금 피곤했지만 좋은 경험이 된 것 같고 주변의 많은 도움으로 좋은 답을 얻게 된 것 같습니다. 반도체 소자에서의 전기적 노이즈에 대해서 총체적으로 정리할 수 있는 기회가 되었고 논문 작성과 진행에 대해서도 많이 배울 수 있었습니다.
장도영 |
