Hyun Hee Park, Pil Soo Kang, Gyu Tae Kim, Jeong Sook Ha, "Effect of gate dielectrics on the device performance of SnO(2) nanowire field effect transistors". Applied Physics Letters 2010, 96 (10). >> Published 2010-03-11
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Hyun Hee Park, Pil Soo Kang, Gyu Tae Kim, and Jeong Sook Ha, Appl. Phys. Lett. 96, 102908 (2010). "Effect of gate dielectrics on the device performance of SnO2 nanowire field effect transistors". 2010년 3월11일 온라인 출간
Al이 도핑된 TiO2를 게이트절연체로 사용해서 SnO2 나노선 FET를 만들었을때 High-k 로서의 최적조건을 맞추는 방법에 대해서 실험하고 분석한 논문입니다. Al의 도핑된 양에 따라 누설전류가 band offset에 의해 정량적으로 해석이 되어 다른 게이트 절연체의 누설전류에도 적용할 수 있음을 정량적으로 제시한 논문입니다. 하정숙 교수님과의 오랜 협력연구로서 충분히 의미가 있었고 제출한지 2주만에 accept가 되고 제출 후 2달이 채 못되어 Applied Physics Letters에 출간이 되었습니다.
올해 좋은 연구결과가 나올 전조를 보여주는 논문 중 하나입니다^^
김규태 |
