Contact‑geometry‑dependent vertical channel migration in multilayer ReS2 field‑efect transistors
Doyoon Kim, Jinwoo Ahn, Hyeran Cho, Gyu-Tae Kim
Journal of the Korean Physical Society (2025)
DOI: https://doi.org/10.1007/s40042-025-01403-9
기존 2D FET의 전도 채널 migration 현상이 전극의 top-contact 구조, interlayer 저항의 영향이 가정된다는 점에 착안하여, 전극 구조에 따른 채널 이동현상을 분석한 논문입니다.
Resistor network model에 기반한 수치모사 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 통해 분석하였으며, 특히, edge-contact 구조에서는 interlayer 저항의 영향이 거의 사라진다는 것을 확인한 것에 대해 의미 있는 연구결과라고 생각합니다.
연구를 지도해주신 김규태 교수님께 감사드리고, 실험과 논문작업을 함께하며 2저자로서 고생해준 진우, 논의와 분석을 도와준 혜란이에게도 감사의 뜻을 전합니다.
사사는 중견과제로 들어갔습니다.
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