Bias Temperature Instability of Multilayer ReS2 FET with α-MoO3 Passivation Jungu Chun, Jaewoo Lee, Hyeran Cho, *Gyu-Tae Kim
Advanced Materials Interfaces (2022)
URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/admi.202200378 DOI: https://doi.org/10.1002/admi.202200378
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ReS2 BTI Test를 Base로 하며, MoO3라는 물질로 Passivation 했을 때 전기적 특성 변화를 확인한 논문입니다.
실험은 21년에 마쳤는데, 회사와 병행하다 보니 22년에 이르러서야 최종 Publish를 할 수 있게 되었습니다. 위와 같은 상황임에도, 항상 친절하고 빠른 응답으로 아낌 없는 조언과 지도를 해주신 김규태 교수님께 먼저 깊은 감사를 드립니다. 또한 처음 논문을 쓰느라 아무것도 몰랐던 저희에게 기본을 알려주신 김도현 박사님께도 이 글을 빌어 다시 한 번 감사의 말씀 드립니다. 더불어 같이 논문 작업한 조혜란 연구원을 포함한 NDL 석,박사님들께도 감사의 말을 전합니다.
공동저자 전준구, 이재우 드림
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