Optimized single-layer MoS2 field-effect transistors by non-covalent functionalisation
HyunJeong Kim, WungYeon Kim, Maria O'Brien, Niall McEvoy,Chanyoung Yim, Mario Marcia, Frank Hauke, Andreas Hirsch, Gyu-Tae Kim and Georg S. Duesberg*
Nanoscale Year: 2018, issue: 37 volume: 10, page: 17557-17566
DOI: 10.1039/C8NR02134A
사사: 2018년 EEMAP, 가스센서 과제
----------- 안녕하세요 졸업할때가 되니까 드디어 저도 여기에 글을 써볼날이 오네요 ㅠㅠ
아일랜드에서 CVD MoS2에 surface treatment (혹은 functionalization)한 후 ALD-Al2O3를 증착하고, wet-etching을 통해 탑게이트 FET를 제작하였습니다. 이렇게 만든 소자는 CVD MoS2 성장뒤에 Al2O3로 덮여서 채널영역이 패시베이션되는 장점이 있습니다. 일반적으로 전극 생성을 위해서 리소그라피후에 ALD 증착을 하는데 저는 ALD증착후 에칭으로 전극부분을 뚫고 소자를 제작하였습니다. 그리고 이 두 방법으로 제작된 소자의 전기적 특성들을 비교하였습니다. 결과적으로 리소그라피에 쓰이는 폴리머 잔여물이 없는 소자가 그렇지 않는 소자보다 성능이 좋아짐을 보였습니다.
- 사실 제가 보기에는 아직도 부족한 점이 많이 보이지만 제가 갖고 있는 데이터를 최대한 분석하여 논문으로 완성하였습니다.
실험의 컨셉과 소자제작, 디스커션까지 모든것을 도와주신 웅연오빠 감사합니다!! 한국에 돌아와서는 분석을 하는데, 김규태 교수님과의 면담을 통해서 논문의 살을 붙일수 있었습니다. 감사합니다. 제 논문을 좀 더 있어보이게, 예쁘게 다듬어주신 게오르그교수님도 감사합니다. 한국에 와서 게오르그교수님이랑 커뮤니케이션에 도움주신 찬영오빠 감사합니다. 아일랜드에서 만나 지금은 독일로 가신 강호오빠 아일랜드에서 주신 도움들, 모두 감사합니다. 마지막에 교정을 도와준 나일에게도 이 글을 못읽겠지만 감사합니다. 그외에 라만에 도움을 준 마리아, 페릴린을 공급해주신 저자분들께도 모두 감사의 말씀드립니다.
좀더 빨리 논문을 완성할 수 있었는데 제 부족으로 너무 늦어졌습니다. 늦었지만 무사히 완성하고 논문억셉도 한번에 되어 다행히라고 생각합니다~!
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