S.J. Park, D.-Y. Jeon, L. Montes, M. Mouis, S. Barraud, G.-T. Kim, and G. Ghibaudo,"Less mobility degradation induced by transverse electric-field in junctionless transistors" Appl. Phys. Lett. 105, 213504 (2014).
>> published online 25. Nov. 2014. (화연, 글로벌 프로티어 과제 사사)
DOI : 10.1063/1.4902549
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/105/21/10.1063/1.4902549
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Junctionless transistor에서 트랜스 컨덕턴스와 모빌리티 degradation이 적은 특성을 보고 이 특성이 channel width나 doping concentration 같은 채널 구조에 따라 어떻게 바뀌는지 공부한 논문입니다.
포닥 일은 아직 잘 모르는 게 많아 공부를 하고 있지만 지루해질 때도 있는데 예전 실험 분석하고 정리하면서 활력이 생기기도 했습니다.
이제 크리스마스고 연말인데 다들 즐거운 시간 보내셨으면 좋겠구요.^^
저나 대영오빠는 나노소자연구실 드레스덴 지부에서 건강하게 지내고 있으니까 걱정 마시고
아프지 말고 다음에 볼 때까지 잘 지내세요.
Merry Christmas & Happy New Year 2015!
박소정 드림. |
