Jae-Sung Kim, Byung-Su Oh, Mingxing Piao, Min-Kyu Joo, Ho-Kyun Jang, Seung-Eon Ahn, and Gyu Tae Kim*, “Effects of low-temperature (120°C) annealing on the carrier concentration and trap density in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors”, Journal of Applied Physics, 116, 245302 (2014).
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/116/24/10.1063/1.4904843
http://dx.doi.org/10.1063/1.4904843
a-IGZO TFT의 기존 어닐링 연구는 산소나 질소 분위기에서 300-400도로 수행되어 왔습니다.
본 연구는 Flexible application을 위한 plastic substrate 의 glass transition temperature 를 고려하여
낮은 120도에서의 어닐링 공정 전/후의 특성 변화를 관찰했습니다.
추출된 전기적 파라미터와 XPS 및 low-frequency noise 분석을 통해
전하 농도 및 트랩 농도가 모두 낮아졌음을 확인했습니다. |
