D. Y. Jeon, K. H. Kim, S. J. Park, J. H. Huh, H. Y. Kim, C. Y. Yim, G. T. Kim, "Enhanced voltage-current characteristics of GaN nanowires treated by a selective reactive ion etching". Applied Physics Letters 2006, 89 (2). >> Published 2006-07-10
-> 2005년 12월에 제출된 논문이 7개월 걸려서 APL에 출간되었습니다. 전대영 군이 꾸준히 일을 진행시켜서 소리소문 없이 끝까지 일을 해내었습니다! 석사과정 중에 APL에 출간될 정도의 일을 하고 무엇보다 처음부터 끝까지 주도적으로 했던 것은 참 자랑스러운 일입니다^^ 삼성종합기술원에 가서도 좋은 일 많이 하고 보람있는 일도 했으면 하는 바램입니다^^
논문내용은 GaN 나노선 소자를 제작할때 접촉저항을 줄이는 방법에 대한 것입니다. 선택적인 이빔패터닝을 하고 선택적으로 건식에칭을 수행하여 접촉점에서의 절연물질을 제거한다는 아이디어 입니다. 실제 실험에서 접촉점에서의 물질을 조금 제거했더니 전기적 특성이 많이 좋아졌습니다. 간단한 아이디어 처럼 보일 수도 있지만 나름대로 참 의미가 크다고 하겠습니다. 접촉점 개선책에 대해서는 앞으로도 계속 진행할 예정입니다~ | |
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