Jae Woo Lee, Doyoung Jang , Mireille Mouis , Kiichi Tachi , Gyu-Tae Kim , Thomas Ernst , Gerard Ghibaudo
"Short Channel Mobility Analysis of SiGe Nanowire P-type Field Effect Transistors: Origins of the Strain Induced Performance Improvement"
Applied Physics Letters,Volume 101, Issue 14,143502 (2012)
link : http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i14/p143502_s1?bypassSSO=1
pdf : http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000101000014143502000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.4756910&prog=normal&bypassSSO=1
top-down 방식으로 제작된 SiGe NW 소자에 strain이 주는 mobility boost effect를 온도 변화에 따라 분석한 실험입니다.
c-strain은 p-type 반도체의 hole 모빌리티를, t-strain은 n-type 반도체에서의 electron 모빌리티를 증가시킨다고 알려졌었고,
이것들의 메커니즘에 대해서는 이미 물성적인 연구가 많이 발표되어있는 상태입니다.
하지만 이 논문에서는 이러한 알려진 메커니즘들 이외에도 S/D영역으로부터 dopant 의 out-diffusion이 strain에 의해
제한되기 때문에 mobility boost 이외에도 short channel effect를 제어하기 위해 strain engineering이 필요함을 보여주고 있습니다.
온도변화에 다른 모빌리티의 경향성 분석으로부터 각각의 소자에 다른 주요 scattering mechanism이 존재함을 보였고
이것으로 부터 전체 모빌리티에 대한 impurity scattering의 영향력을 역산할 수 있었습니다.
이러한 결과를 낼 수 있기까지 많은 가르침과 지원을 아끼시지 않은 우리 교수님, 프랑스 교수님들
그리고 공동학위동안 같이 공부했던 항상 좋은 형이자 친구이자 스승인 도영이형에게 감사드립니다.
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