S. H. Chang, S. B. Lee, D. Y. Jeon, S. J. Park, G. T. Kim, S. M. Yang, S. C. Chae, H. K. Yoo, B. S. Kang, M. J. Lee, T. W. Noh, Advanced Materials, Vol. 23(35) 4063-4067 "Oxide Double-Layer Nanocrossbar for Ultrahigh-Density Bipolar Resistive Memory", 2011년 8월 2일 출간
E-mail: twnoh@snu.ac.kr
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201102395/abstract (논문저널 페이지)
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201102395/pdf (논문 pdf 링크)
서울대 장서형씨와 강보수 박사님의 요청을 받아 이빔패턴을 도와주었던 일이 논문으로 출간되었습니다.
논문은 Bipolar resistive memory 특성을 가지는 물질과(TiO2) 다이오드 역할을 하는 물질을(V2O5) 동시에 적층하여, Cross bar array (200nm by 200nm)에서도 원하는 Device cell 만을 성공적으로 Read할 수 있는 R-RAM 구조를 구현했다는 내용입니다. 또, C-AFM 실험을 통해서 10nm by 10nm 사이즈에서도 동작가능할 수 있다는 것을 보여주었습니다.
시일이 촉박한 실험이어서 고온 공정에 견딜 수 있는 Pt 본딩패드를 위한 Mask 디자인도 하면서, 교수님 제안에 따라 우리 연구실 Au 본딩패드기판으로도 이빔공정을 동시에 진행했었는데., 다행이 PLD로 oxide 물질을 증착할 때의 Au 전극 손상이 다음 Top 전극 이빔공정할 때 수선?이 가능한 정도여서 촉박한 실험일정을 맞출 수 있었던 기억이 납니다. 실험 도와주면서 장서형씨한테 여러가지 많이 배웠는데, 그간에 박사졸업을 하고 지금은 미국 아르곤랩에서 포닥을 하고 있다고 합니다.
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