Title: Impact of channel width on back biasing effect in tri-gate MOSFET
So Jeong Park; Dae-Young Jeon; Laurent Montès; Sylvain Barraud; Gyu-Tae Kim; Gérard Ghibaudo
*S. J. Park: parkso@minatec.inpg.fr
Accepted for the publication in Microelectronic Engineering
2013/09/17
- 글로벌 프론티어와 화연 과제 사사
FD SOI Inversion-mode 소자에서 width 가 줄어듬에 따른 back bias effect 변화를 정리한 논문입니다. 주로 C-V의 변화와 모빌리티 변화에 초점을 맞추어서 분석하였습니다. 인버전 모드 소자에서의 substrate bias effect는 gm, SS, Vth 변화를 보여주어 많은 연구가 되어 있습니다. 하지만 이 논문에서는 모빌리티에서 width 변화에 따른 back bias effect를 top과 bottom interface 상태 차이로 설명하고 simulation 으로 확인하였습니다.
로랑 교수님, 지보도 박사님 그리고 우리 교수님께 감사 드립니다.
박소정 올림. |
