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제목[108-2014] Full split C-V method for parameter extraction in Ultra Thin BOX FDSOI MOS devices2014-07-24 00:00
작성자 Level 10

Minju Shin, Ming Shi*, Mireille Mouis, Antoine Cros, Emmanuel Josse, Gyu-Tae Kim and Gérard Ghibaudo, "Full split C-V method for parameter extraction in Ultra Thin BOX FDSOI MOS devices", Solid state electronics 2014, 99.104-107 >> published online 7 July 2014

BK 사사

URL : http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110114000872
DOI : http://10.1016/j.sse.2014.04.039

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프랑스 Grenoble에 와서 이름도 생소한 Fully depleted Silicon on insulator(FD-SOI) 소자를 받게 되어 실험한 논문입니다. 정말 아무것도 모르는 때에 측정을 하던 중에, 우연한 기회에 Cgb(capacitance gate-bulk)를 측정해보았습니다. 기존의 두꺼운 BOX의 FD-SOI 소자에서는 너무 작은 값 때문에 무시되었던 측정법인데, BOX 두께의 감소로 인해 의미있는 분석을 시행해 볼 수 있었습니다. 또한, Lim and Fossum Model을 발전시켜 Cgc 측정을 통해 추출한 소자의 parameter들을 Cgb 분석으로부터 추출한 parameter와 비교하여 이의 타당성을 증명한 논문입니다. 

좋은 기회를 만들어 주신 우리 교수님과 CMOS 분야에 대해서 아무것도 모르는 제게 항상 차근차근 설명해주시고 지도해 주신 Gerad 교수님과 Mireillie 교수님께 감사드립니다. 끝으로, 이 논문의 시작과 끝을 함께 해준 Ming에게 고맙다는 말을 전합니다^^ 

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이제 다음주 수요일이면 한국으로 돌아갑니다. 일주일 남았네요^^ 돌아가기 전에 좋은 소식 전하게 되어 기쁩니다~ 건강한 얼굴로 뵙겠습니다.
                                                                                                                                                                               -2014년 7월 24일 

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