Jae-Sung Kim, Min-Kyu Joo, Ming Xing Piao, Seung-Eon Ahn, Yong-Hee Choi, Junhong Na, Minju Shin, Man-Joong Han, Ho-Kyun Jang and Gyu-Tae Kim*,
Thin solid films (2014),
"Effects of geometrically extended contact area on electrical properties in amorphous InGaZnO thin film transistors"
*Electron mail: gtkim@korea.ac.kr
2014.02.15 published online
URL : http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609014001618
http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.026
화연, 글로벌프론티어 과제 사사
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승언형님이 주신 a-IGZO thin film으로 TFT 소자를 제작하고 측정한 실험입니다.
교수님의 아이디어로부터 출발한 연구로, 논문이 되기까지 에칭, 리쏘 공정 조건 잡는 것도 꽤 오래걸렸지만,
논문에 다 쓰이진 못했지만 스쳐지나간 많은 소자들을 측정하느라 나름 애썼던 기억이 나네요..
저는 소자에 애착을 가지기 위해 이름을 붙여주는 편인데요.. 이 영광을 특히 애써준 양배추, 참치 소자에게 바칩니다..
논문 내용은 아래와 같습니다.
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일반적으로 스케일이 작은 소자 (예를 들면 나노선)에서 컨택 저항이 큰 경향을 발견할 수 있습니다.
그 원인을 채널물질과 전극 간의 접촉 면적의 감소로 인한 것으로 보고,
접촉 면적과 접촉 저항의 관계를 분석하기 위해 거꾸로 Top-down 방식의 소자를 이용해
기형적으로(?) 접촉 면적이 넓은 아령처럼 생긴 소자(Extended contact device)를 제작하여,
기존 reference 소자와의 접촉저항의 차이를 연구했습니다.
처음에는 4 probe로 시도했으나, 전압을 측정하는 두 전극의 접촉면적을 기형적으로 넓힘에 따라,
이상한 측정결과가 나와서.. TLM으로 분석하게 되었습니다.
TLM으로 분석하고, gate에 따른 컨택저항을 추출함으로써, Transfer length와 Specific contact resistivity 등을
구했고, 널리 사용되어있는 equation들과 저의 data가 잘 맞는 것을 확인할 수 있었고,
EC 소자의 컨택저항과 접촉 면적의 관계를 도출했습니다.
Contact width의 split을 해서 figure가 하나 더 나왔다면 좋았을텐데.. 라는 후회가 되네요..
이와 관련하여 졸업하기 전에 시뮬레이션을 해야겠다는 생각을 하고 있습니다.
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