Dae-Young Jeon, So Jeong Park, Mireille Mouis, Sylvain Barraud, Gyu-Tae Kim* and Gérard Ghibaudo*
Appl. Phys. Lett. 105, 263505 (2014)
"Low-temperature operation of junctionless nanowire transistors: Less surface roughness scattering effects and dominant scattering mechanisms"
*Electronic addresses: gtkim@korea.ac.kr and ghibaudo@minatec.inpg.fr
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/105/26/10.1063/1.4905366 (논문저널페이지)
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Nanowire (or tri-gate) 모양의 junctionless transistor (JLT)의 동작을 mobility 온도경향을 통해서 살펴보고,
high gate bias에서의 less surface roughness scattering effects에 대해 분석해 본 내용입니다.
Nanowire 모양의 소자에서는 capacitance를 측정/예측하는게 어려운 면이 있는데,
그래서 mobility를 직접 추출하는 대신 gm 경향을 통해 mobility 경향을 예측해 보았습니다.
나중에 bottom-up 방식으로 제작된 소자에도 적용을 해 볼 만 하다는 생각입니다.
공동학위 관련해서 많은 도움을 주신 우리 교수님과 Gerard Ghibaudo, Mireille Mouis 박사님께 감사드립니다.
- 전대영 올림. |
